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- 发光二**管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(*化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷*化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。
因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。
此外,在一定条件下,它还具有发光特性。
在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。
进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,具有体积小,耗电量低,使用寿命长,环保,坚固耐用,技术*等优点。
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